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siehe Spezifikationen für Produktdetails.
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onsemi 2SD734F
| Artikelnummer: | 2SD734F |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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onsemi 2SD734F Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments 2SD734F.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 20 V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 50mA, 500mA Transistor-Typ NPN Supplier Device-Gehäuse 3-NP Serie - Leistung - max 600 mW Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Bulk Betriebstemperatur 150°C (TJ) Befestigungsart Through Hole Frequenz - Übergang 250MHz DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 160 @ 50mA, 2V Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO) Strom - Kollektor (Ic) (max) 700 mA -
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